请大家介绍一两种新型半导体器件的工作原理及应用，我要写专业导论，1500字左右的小型的。

新型半导体器件是指在传统二极管、晶体管基础上发展起来的新一代电子器件。它们具有更高的电性能和更低的功耗，广泛应用于计算机、通信、消费类电子产品等领域。下面介绍两种新型半导体器件——场效应晶体管和光电二极管。
场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是1959年英国科学家J.L. Brattain首先发明的一种晶体管类型。它由一个闸极和一个源极以及一个漏极组成，其导通与否由闸极上的电压来控制。当闸极上施加正向压差时，闸门打开，漏电流增大；当闸极上施加反向压差时，则关闭，漏电流减小或为零。由于其具有良好的线性特性、高灵敏度和低功率消耗等优点，在计算机领域得到了广泛应用。
光电二极管（Phototransistor，PT）是一种利用光电效应工作的半导体器件。它由一个半导体材料组成，其中包含一个施加了电荷的负极和一个施加了正极的空穴区。当有光照射到光电二极管上时，其中的光电子会从空穴区逸出，并通过外部电路传递信号。由于其高灵敏度和低功耗等优点，广泛应用于数码产品、安防系统等领域。
新型半导体器件在设计和制造过程中需要考虑多个因素。首先，要选择适当的材料和结构来实现所需的功能；其次，要控制内部参数以确保其正常工作；最后，还需要考虑外部环境因素对其性能的影响。
总之，新型半导体器件具有更高的电性能和更低的功耗，在计算机、通信、消费类电子产品等领域得到了广泛应用，并将继续发展和创新。

关于半导体物理和半导体器件的知识算是比较肤浅的。 只要你英语水平好，看这本书不是特别困难。 该书有中文翻译版，看起来虽然晦涩但是并不深奥。 所以说，学不会看不懂，都是因为y是英文原版，而咱英语不好。

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请参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

请参考百度百科词条“半导体器件”
晶体二极管
　　晶体二极管的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端（P型半导体那边）接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种应用领域内制成的二极管有：整流二极管、检波二极管、变频二极管、变容二极管、开关二极管、稳压二极管（曾讷二极管）、崩越二极管（碰撞雪崩渡越二极管）和俘越二极管（俘获等离子体雪崩渡越时间二极管）等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极管，以及没有PN结的肖脱基二极管和耿氏二极管等。

双极型晶体管
　　它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在应用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数?。在共发射极电路中，微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型晶体管的电流放大效应。双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两类。

场效应晶体管
　　它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
　　根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种：
　　①结型场效应管(用PN结构成栅极)；
　　②MOS场效应管（用金属-氧化物－半导体构成栅极,见金属－绝缘体－半导体系统）；
　　③MES场效应管（用金属与半导体接触构成栅极）;其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。
　　在MOS器件的基础上,最近又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等；配上光电二极管列阵，可用作摄像管。

集成电路

　　把晶体二极管、三极管以及电阻电容都制作在同一块硅芯片上，称为集成电路。一块硅芯片上集成的元件数小于 100个的称为小规模集成电路，从 100个元件到1000 个元件的称为中规模集成电路，从1000 个元件到100000 个元件的称为大规模集成电路，100000 个元件以上的称为超大规模集成电路。集成电路是当前发展计算机所必需的基础电子器件。许多工业先进国家都十分重视集成电路工业的发展。近十年来集成电路的集成度以每年增加一倍的速度在增长。目前每个芯片上集成256千位的MOS随机存储器已研制成功，正在向1兆位 MOS随机存储器探索。