中国在存储芯片领域的自主研发已取得多项突破性进展，涵盖铁电存储器、混合架构闪存芯片和新型DRAM技术，部分成果达到全球领先水平。
1. 新型铁电存储器
无锡舜铭存储科技通过“铪基材料+3D架构”创新，实现全球首款国产铁电存储器量产，存储密度提升1000倍，读写速度达纳秒级，耐受125℃高温与强辐射。其产品应用于电力电表、工业控制等领域，2025年跻身全球铁电存储器供应商TOP5。
2. 二维-硅基混合架构闪存芯片
复旦大学团队2025年研制的“长缨CY-01”芯片，读写速度比传统闪存快100万倍，能耗降低99%。该芯片兼容现有硅基产线，良率达94.3%，可突破光刻机限制，未来将应用于AI算力、物联网等领域。
3. 超低泄漏DRAM芯片
2026年上海团队开发的二维半导体晶体管DRAM，泄漏电流低至9.15秒仅1个电子，数据保持时间超8500秒，显著降低AI算力中心能耗，为存内计算架构提供硬件支持。
1. 新型铁电存储器
无锡舜铭存储科技通过“铪基材料+3D架构”创新，实现全球首款国产铁电存储器量产，存储密度提升1000倍，读写速度达纳秒级，耐受125℃高温与强辐射。其产品应用于电力电表、工业控制等领域，2025年跻身全球铁电存储器供应商TOP5。
2. 二维-硅基混合架构闪存芯片
复旦大学团队2025年研制的“长缨CY-01”芯片，读写速度比传统闪存快100万倍，能耗降低99%。该芯片兼容现有硅基产线，良率达94.3%，可突破光刻机限制，未来将应用于AI算力、物联网等领域。
3. 超低泄漏DRAM芯片
2026年上海团队开发的二维半导体晶体管DRAM，泄漏电流低至9.15秒仅1个电子，数据保持时间超8500秒，显著降低AI算力中心能耗，为存内计算架构提供硬件支持。