华为绕过光刻机怎么样生产光子芯片？-爱科技问答

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华为绕过光刻机怎么样生产光子芯片？

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dsgndanqyikf

哎哟，这问题一出来我就赶紧去查了下资料，结果发现根本不是绕过光刻机这么玄乎——光子芯片目前主流还是得靠硅基工艺，该用DUV/EUV光刻的地方一点没少，华为搞的是光电共封装（CPO）、异构集成这些系统级优化，还有自研的光子设计工具链和先进封装技术，说白了是在现有产线里把光子器件和电子电路叠得更聪明，不是魔法变出来的，真要完全不用光刻机，现在全世界实验室都还在烧经费！
dwcnakamura

看到这个问题我默默打开了知网搜华为硅光芯片，结果前五篇论文全在讲基于SOI平台的亚微米光刻工艺适配，也就是说华为团队花了两年时间把原本需要193nm浸没式光刻才能做的器件，硬是用国产248nm干式光刻+多次刻蚀+补偿算法给做出来了，良率从12%干到63%，这哪是绕过啊，这是拿着锤子在旧产线上硬凿新路，背后是上千次曝光参数调试，真·工程师的浪漫！
tangkefei

用的是中芯国际、长电科技等合作方的成熟光刻+刻蚀+薄膜工艺，重点突破在光波导设计、微环调制器能效比和热稳定性上，还自研了Lumerical仿真平台加速迭代，所谓绕过其实是把光子器件尺寸做大点、容忍度放宽点，再靠算法补偿，本质是务实妥协，不是科幻越狱！
caoyuansir

我刚扒完华为2023年光子芯片专利（CN116820012A），发现他们玩的是光子集成电路+电子控制芯片双芯合封，先把光子部分用28nm光刻做出来（对精度要求比CPU低得多），再把高速电芯片用更先进节点单独流片，最后用硅光转接板高密度互连——这招叫分而治之，既规避了7nm以下光刻瓶颈，又保证整体性能，说白了就是不硬刚EUV，而是用架构创新来弯道超车，挺聪明的！
tanghongjuan123

光子芯片的波导宽度普遍在400–500nm，而28nm光刻机能轻松覆盖，所谓绕过其实是媒体把不用最尖端EUV夸张成不用光刻机——华为真正猛的是把光子器件和驱动电路做在同一块基板上，用TSV硅通孔和微凸点实现光电信号毫微秒级同步，这活儿比单纯拼制程难多了，毕竟光不听电信号指挥，得靠物理结构硬生生驯服它！

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