三星2021年实现3nm工艺量产，性能提升显著在智能手机市场面临挑战之际，三星将逻辑工艺代工作为战略重点。在三星晶圆代工SFF美国分会上，三星宣布了革新性的FinFET工艺，包括7nm到4nm，以及引领未来的3nm GAA工艺。这款3nm工艺通过新型晶体管结构，性能提升达35%，功耗降低50%，且芯片面积缩减45%，表现出强大的技术优势。
目前，半导体制造工艺已进入10nm以下的领域，尽管台积电率先量产了7nm工艺，但三星凭借7nm EUV工艺追赶，尽管落后一年，但正加快脚步。三星计划年内完成6nm工艺的大规模生产，并开发4nm工艺，6nm工艺将于今年四月完成产品设计，5nm工艺预计2020年量产，与台积电同步。
进入3nm节点，三星采用GAA晶体管技术，即3GAE工艺，以MBCFET替代FinFET，显著增强晶体管性能。三星虽然未明确3GAE工艺的量产时间，但2021年量产的可能性较大。与7nm相比，3GAE工艺承诺将带来更大的效益，广泛应用于移动、网络通讯、汽车电子、AI和IoT等领域。
三星已提前布局，4月发布了3GAE工艺的PDK 1.0设计套件，旨在帮助客户提前进入设计阶段，提升竞争力并缩短研发周期。此外，三星在低功耗FD-SOI工艺上也持续投入，计划完成18FDS工艺及eMRAM存储芯片的后续开发，以满足多元化市场的需求。
