2020第三代半导体行业重要事件回顾：
1月：罗姆集团与意法半导体达成碳化硅晶圆长期供货协议。
全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体（ST）宣布，双方就碳化硅（SiC）晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH供应事宜达成长期供货协议。协议金额超过1.2亿美元，SiCrystal将向ST供应先进的150mm SiC晶圆。
2月：小米发布GaN充电器65W。
小米在新品直播发布会上发布了采用氮化镓（GaN）技术的小米GaN充电器Type-C 65W，支持最高65W疾速充电，体积小巧便携。
台积电与意法半导体合作，加速GaN制程技术开发。台积电宣布与意法半导体合作，加速氮化镓（GaN）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场。
3月：英飞凌新增650V产品系列，完备硅、碳化硅和氮化镓3种技术。
英飞凌科技（Infineon）扩展其碳化硅（SiC）产品组合，新增650V产品系列，满足广泛应用对于能源效率、功率密度和耐用度的需求。
6月：比亚迪汉EV采用自研碳化硅模块，实现3.9秒百公里加速。
比亚迪公布旗下中大型轿车汉EV首次应用自研“高性能碳化硅MOSFET电机控制模块”，助力其0-100km/h加速仅需3.9秒。
三安光电拟160亿元在长沙投建碳化硅等化合物第三代半导体产业园，聚焦化合物半导体的研发及产业化项目。
8月：天科合达第三代半导体材料项目开工。
北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工，总投资约9.5亿元人民币，计划于2022年年初完工投产。
9月：全球最大氮化镓工厂正式在苏州建设完成。
英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片。
银河世纪科创板IPO过会，涵盖功率器件、第三代半导体和LED。上海证券交易所科创板股票上市委员会同意常州银河世纪微电子股份有限公司发行上市。
11月：华为再投第三代半导体企业。
专注于半导体领域的宁波润华全芯微电子设备有限公司发生工商变更，新增股东为华为旗下的哈勃科技投资有限公司。
TI推出下一代650V和600V氮化镓场效应晶体管（FET）。TI宣布推出面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）FET。
12月：重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片。
重庆邮电大学实验室成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，具备体积小、效率高、用电量少等特点。
康佳第三代半导体项目落户江西，总投资300亿元人民币，分两期建设，主要建设第三代化合物半导体项目及其相关配套产业。
华灿光电完成15亿定增，为第三代半导体业务发展添新动能，其中GaN基电力电子器件的研发与制造项目将建立完整的业务链，快速推进GaN功率器件的大规模产业化。