目前国内光刻机领域在2025-2026年取得了三项关键技术突破，覆盖高端直写、工业级步进光刻以及核心光源环节
1. 万通道3D纳米激光直写光刻机
2026年4月由浙江大学研发成功，核心亮点包括：
- 采用双光子激光直写技术，实现1万多个可独立控制的激光焦点，单焦点能量支持169阶精细调节
- 加工速率达2.39×10体素/秒，对应42.7平方毫米/分钟，加工精度可达亚30纳米，最大可覆盖12英寸硅片
- 为大面积微纳结构的高通量、高精度制造提供了全新解决方案，整体性能处于国际领先水平
2. 350nm步进光刻机（AST6200）
2025年11月由上海芯上微装完成出厂验收并交付客户，是全自主可控的工业级光刻设备：
- 针对功率半导体、射频器件、Micro LED等场景定制开发
- 搭载大数值孔径投影物镜与可变光瞳技术，实现350nm高分辨率成像
- 套刻精度表现优秀，正面套刻可达80nm，背面套刻可达500nm，可保障多层图形精准加工
- 配套全栈自主研发的软件控制系统，实现了设备软硬件的完全自主主权
3. 全固态深紫外（DUV）激光光源
2026年7月由杭州雷声激光科技研发完成并通过计量测试，打破国际垄断：
- 采用全固态晶体路线替代传统气态介质，设备结构更紧凑、运行稳定性更强
- 能量利用率从国外气态路线的3%-6%提升至46%以上，激光光束质量与控制精度更优异
- 标志我国高端光刻机核心光源技术实现商业化突破，完成了关键零部件的自主替代
1. 万通道3D纳米激光直写光刻机
2026年4月由浙江大学研发成功，核心亮点包括：
- 采用双光子激光直写技术，实现1万多个可独立控制的激光焦点，单焦点能量支持169阶精细调节
- 加工速率达2.39×10体素/秒，对应42.7平方毫米/分钟，加工精度可达亚30纳米，最大可覆盖12英寸硅片
- 为大面积微纳结构的高通量、高精度制造提供了全新解决方案，整体性能处于国际领先水平
2. 350nm步进光刻机（AST6200）
2025年11月由上海芯上微装完成出厂验收并交付客户，是全自主可控的工业级光刻设备：
- 针对功率半导体、射频器件、Micro LED等场景定制开发
- 搭载大数值孔径投影物镜与可变光瞳技术，实现350nm高分辨率成像
- 套刻精度表现优秀，正面套刻可达80nm，背面套刻可达500nm，可保障多层图形精准加工
- 配套全栈自主研发的软件控制系统，实现了设备软硬件的完全自主主权
3. 全固态深紫外（DUV）激光光源
2026年7月由杭州雷声激光科技研发完成并通过计量测试，打破国际垄断：
- 采用全固态晶体路线替代传统气态介质，设备结构更紧凑、运行稳定性更强
- 能量利用率从国外气态路线的3%-6%提升至46%以上，激光光束质量与控制精度更优异
- 标志我国高端光刻机核心光源技术实现商业化突破，完成了关键零部件的自主替代