ASML近期在高数值孔径（High-NA）EUV光刻机领域取得重大突破，同时其CEO就出口限制及中国市场表态，强调服务不受阻且驳斥中国成熟制程产能过剩论。
High-NA EUV光刻机技术突破与交付进展首次打印10纳米线宽图案：4月17日，ASML宣布高数值孔径（High-NA）EUV光刻机成功首次打印出10纳米线宽（dense line）图案，分辨率最高达8纳米。这一成果标志着ASML及整个高数值孔径EUV光刻技术领域迈入新阶段，为芯片制造向更高端制程进化提供了关键技术支撑。
技术迭代背景：传统DUV光刻机用于7nm及以上制程芯片，而EUV光刻机服务于7nm以下制程。ASML第一代EUV系统（如TWINSCAN NXE:3600D/3400C）采用0.33 NA光学器件，分辨率13nm，支持7nm、5nm和3nm批量生产，但3nm以下节点需双重或多重曝光，效率受限。
新一代技术优势：TWINSCAN EXE:5000系列采用0.55 NA透镜，分辨率提升至8nm，单次曝光尺寸缩小1.7倍，晶体管密度提高2.9倍，可避免3nm及以上节点的多重曝光，显著提升制造效率。
一季度财报表现：2024年一季度净销售额53亿欧元，低于2023年四季度的72.4亿欧元；净利润12亿欧元，低于四季度的20.5亿欧元；新增订单36亿欧元（其中EUV光刻机订单6.56亿欧元），不及预期的46.3亿欧元。
中国市场贡献与出口限制影响：一季度中国大陆市场净系统销售营收19亿欧元，占比49%，成为最大市场（中国台湾和韩国分别占6%和19%）。但2024年初荷兰政府吊销部分向中国大陆运送先进浸润式DUV光刻机的出口许可证，导致上季度中国大陆销售营收从22亿欧元下降。
CEO对服务与产能的表态：
服务不受阻：针对美国施压荷兰阻止ASML为中国大陆设备提供服务，CEO皮特·温宁克表示，两国政府已讨论此事，但“今天没有什么可以阻止我们为中国大陆的安装设备提供服务”。
驳斥产能过剩论：温宁克认为中国大陆需求强劲，增加成熟制程产能是合理的，符合全球未来需求，且其全球市场份额将进一步扩大，自给自足能力将提升。