三星EUV极紫外光刻工厂量产技术引领行业
韩国三星在位于华城市的V1工厂实现了一项重大突破，该工厂已经开始大规模生产7nm 7LPP和6nm 6LPP工艺芯片，这是全球首个专为EUV极紫外光刻技术设计的代工厂。三星的7LPP和6LPP工艺主要瞄准的是先进的移动SoC芯片市场，预计本季度将逐步出货，其中7LPP可能是对外代工的主力，而6LPP可能主要用于三星自家或特定客户项目。
三星强调，6LPP工艺相比7LPP在晶体管密度上提升约10%，有助于降低功耗，且两者具备兼容性，设计针对7LPP的IP可以直接复用，从而降低了生产成本。在工艺路线图上，三星计划采用EUV技术的5LPE、4LPE、3GAE、3GAP等更高级别工艺，其中5nm和4nm被视为7nm的进一步升级，而3nm则是全新的设计起点。
例如，高通的第三代5G基带骁龙X60已采用三星5nm工艺，而3nm技术的开发也即将在年内完成，三星将放弃沿用多年的FinFET架构。V1工厂自2018年2月建设，2019年试生产，预计产能将迅速扩大，到今年年底，7LPP EUV及后续先进工艺的总产能将是2019年底的三倍，总投资预计达到60亿美元。
韩国三星在位于华城市的V1工厂实现了一项重大突破，该工厂已经开始大规模生产7nm 7LPP和6nm 6LPP工艺芯片，这是全球首个专为EUV极紫外光刻技术设计的代工厂。三星的7LPP和6LPP工艺主要瞄准的是先进的移动SoC芯片市场，预计本季度将逐步出货，其中7LPP可能是对外代工的主力，而6LPP可能主要用于三星自家或特定客户项目。
三星强调，6LPP工艺相比7LPP在晶体管密度上提升约10%，有助于降低功耗，且两者具备兼容性，设计针对7LPP的IP可以直接复用，从而降低了生产成本。在工艺路线图上，三星计划采用EUV技术的5LPE、4LPE、3GAE、3GAP等更高级别工艺，其中5nm和4nm被视为7nm的进一步升级，而3nm则是全新的设计起点。
例如，高通的第三代5G基带骁龙X60已采用三星5nm工艺，而3nm技术的开发也即将在年内完成，三星将放弃沿用多年的FinFET架构。V1工厂自2018年2月建设，2019年试生产，预计产能将迅速扩大，到今年年底，7LPP EUV及后续先进工艺的总产能将是2019年底的三倍，总投资预计达到60亿美元。