从骁龙8 gen1到骁龙8+ gen1看三星和台积电工艺差距

骁龙8 Gen1（三星4nm）发热功耗高、能效差；骁龙8+ Gen1改用台积电4nm工艺，同频功耗降约30%，温控显著改善。体现台积电在晶体管密度、漏电控制和良率上优于三星，工艺成熟度更高。

骁龙8 Gen1（三星4nm）发热功耗高、能效差；骁龙8+ Gen1改用台积电4nm工艺后，CPU/GPU同频功耗降约30%，温控显著改善。这凸显台积电在晶体管密度、漏电控制和良率上明显优于同期三星，工艺成熟度与能效优势突出。

骁龙8 Gen1（三星4nm）发热功耗高、能效差；骁龙8+ Gen1改用台积电4nm工艺，CPU/GPU同频功耗降约30%，温控明显改善。凸显台积电在晶体管密度、漏电控制与良率上的优势，三星当时在先进制程成熟度上落后。

从骁龙8 Gen1到骁龙8+ Gen1的对比来看，三星与台积电的4nm工艺差距主要体现在性能提升幅度、功耗控制、能效比等核心指标上，台积电工艺在多方面显著优于三星。以下是具体分析：

一、核心参数对比：工艺差异直接影响硬件潜力

工艺制程：骁龙8 Gen1采用三星4nm工艺，骁龙8+ Gen1改用台积电4nm工艺。两者虽同为4nm，但台积电版本在晶体管密度、漏电控制等底层技术上更优，为性能释放和能效提升奠定基础。

CPU与GPU频率：

CPU：骁龙8+ Gen1的Cortex-X2大核频率从3.0GHz提升至3.2GHz，中核A710从2.5GHz提升至2.8GHz，小核A510从1.8GHz提升至2.0GHz。

GPU：Adreno 730主频从818MHz提升至900MHz（约10%提升）。台积电工艺支持更高频率的同时，未显著增加功耗，反映其能效优势。

二、性能实测：台积电工艺释放更强潜力

CPU性能：

单核与多核提升：极客湾实测显示，骁龙8+ Gen1单核性能提升3.7%，多核提升10%，符合高通官方10%的CPU性能提升预期。

功耗控制：在性能提升的同时，CPU功耗反而降低，能效曲线与天玑9000（台积电4nm）接近，显著优于骁龙8 Gen1（三星4nm）。

GPU性能：

能效碾压：骁龙8+ Gen1的GPU在同性能下功耗降低30%，能效曲线显示其高频部分优势明显，低频时与天玑9000的ARM G710互有胜负，但高频时Adreno 730能效更优。

GFXBench数据：峰值性能（Man3.0和Aztec）小幅提升，但功耗更低，能效提升超30%，成为安卓阵营GPU性能与能效的标杆。

三、工艺差距的根源：三星4nm的短板

能效劣势：三星4nm工艺在晶体管漏电控制、散热效率等方面落后于台积电，导致骁龙8 Gen1在高负载下功耗飙升（俗称“火龙”），而骁龙8+ Gen1通过台积电工艺将功耗压至合理范围。

性能释放受限：三星工艺的物理缺陷限制了芯片的频率提升空间。例如，骁龙8 Gen1若尝试提高CPU/GPU频率，功耗会呈指数级增长，而台积电工艺允许骁龙8+ Gen1在更高频率下维持稳定功耗。

市场反馈验证：高通因三星工艺导致骁龙8 Gen1市场表现不佳，被迫将部分订单转交台积电。骁龙8+ Gen1的能效改进直接提升了用户体验，成为安卓旗舰芯片的转折点。

四、行业影响：能效优先成为共识

电池容量瓶颈：当前手机电池容量普遍在4000mAh-5000mAh之间，提升能效比单纯堆砌性能更重要。台积电工艺的能效优势使其成为厂商首选，例如苹果A系列、联发科天玑9000/9200均采用台积电工艺。

三星工艺的挑战：三星需在3nm GAA工艺上实现突破，否则可能进一步失去高端芯片代工市场份额。其4nm工艺的拉胯表现已影响高通、英伟达等客户的信任。

总结

从骁龙8 Gen1到骁龙8+ Gen1的对比可见，台积电4nm工艺在性能、功耗、能效上全面优于三星4nm。在芯片性能过剩的时代，能效比成为关键指标，台积电凭借技术优势占据高端代工市场主导地位，而三星需加速工艺迭代以挽回口碑。

台积电的骁龙8 Gen1（SM8475）本质上仍是骁龙8 Gen1系列，但属于改进版，与三星版（SM8450）存在显著差异，可视为“全新处理器”。具体分析如下：

型号命名与性能定位型号规律：高通处理器型号中，数字越大通常性能越强。例如，780G（SM7350-AB）的GPU性能比778G（SM7325）强约12%，且二者内存支持不同，说明高通会通过型号区分性能定位。台积电版型号：台积电版骁龙8 Gen1型号为SM8475，三星版为SM8450。根据命名规律，SM8475性能应强于SM8450，且二者为“单独流片”的产物，存在本质差异。

核心性能差异

CPU部分：

中核心主频提升：Geekbench跑分显示，SM8475单核约1300分、多核约4300分，接近天玑9000水平。推测其中核心主频可达2.7GHz，显著高于三星版。

功耗优化：台积电N4工艺的晶体管密度比三星4nm高约30%，在核心面积相近的情况下，SM8475可容纳更多晶体管，从而提升能效。例如，CPU大核心整数功耗预计为3.0-3.2W，中核心为1.8-2.0W，低于三星版。

GPU部分：

性能跃升：SM8475的GPU规模与三星版不同，晶体管密度提升带来的额外晶体管主要分配给GPU。推测其曼哈顿3.1分数达190-210，峰值功耗7-8W，性能超过满血版A15，且能以4W功耗实现骁龙888/A13的满载性能。

工艺优势：台积电工艺在低频和高频下的表现均优于三星，功耗差距约15%-20%，进一步释放GPU潜力。

其他模块升级ISP与DSP：SM8475的ISP和DSP性能也有提升，可能支持更强的影像处理能力和AI计算。兼容性设计：为方便厂商“平替”三星版，SM8475的针脚定义和封装尺寸与三星版一致，但内部架构优化显著。市场定位与竞争关系全新处理器定位：SM8475在性能、功耗和功能上均优于三星版，可视为针对三星工艺缺陷的改进型产品。高通通过型号区分（SM8475 vs SM8450）和性能差异，明确其“全新处理器”的定位。竞争格局：SM8475直接对标天玑9000，成为其最强竞争对手；而天玑8000/8100因性能差距，短期内无直接对手。总结

台积电版骁龙8 Gen1（SM8475）虽沿用“骁龙8 Gen1”名称，但通过工艺改进、架构优化和性能提升，已与三星版（SM8450）形成本质差异。其定位更接近“骁龙8 Gen1增强版”或“骁龙8 Gen1+”，可视为高通为弥补三星工艺短板而推出的全新处理器。

是因为后发的原因及市场规律。然而市场规律同样也会给大陆未来缔造出台积电一样的企业提供机会。

骁龙8gen1芯片是台积电代工吗？
高通公司在 12 月 1 日举行了 2021 年骁龙技术峰会，正式发布了新一代骁龙旗舰芯片 —— 骁龙 8 Gen 1 移动平台。
骁龙 8 Gen 1 采用三星 4nm 工艺，CPU 性能提升 20%，GPU 提升 30%，并搭载全新的 X65 基带。
现在，高通公司首席执行官 Cristiano Amon 证实，骁龙 8 Gen 1 芯片的代工厂目前仅有三星，而未让台积电进行代工。
IT之家了解到，骁龙 8 Gen 1 是骁龙 888 的继任者，从骁龙 888 所采用的 5nm 工艺跳到了 4nm 工艺，也是高通公司第一款使用 Arm 公司最新 Armv9 架构的芯片。
联发科技在 11 月 19 日正式发布了天玑 9000 新一代旗舰 5G 移动平台，天玑 9000 芯片由台积电代工，同时也是全球首款台积电 4nm 芯片。

1月15日消息，此前有消息称高通不满三星4nm制程的良率，考虑寻求台积电为其代工骁龙8Gen1旗舰SoC芯片。台积电的版芯片代号为SM8475，预计能效会更高，根据外媒TechnikNews独家报道，摩托罗拉即将推出一款代号为“Frontier”的新手机，会搭载这一平台。▲此前发布的motoedgeX30摩托罗拉edgeX30首发骁龙8Gen1，售价2999元，配备1080P屏幕。“Frontier”新机的名称未知，有望配备类似的6.67英寸FHD+144HzOLED屏幕，采用曲面屏设计。值得注意的是，爆料者表示这款新机将首发三星S5KHP1传感器，拥有高达2亿像素。此外，还会配备5000万像素JN1超广角摄像头、12MP索尼IMX663长焦摄像头。据了解，摩托罗拉Frontier将会支持125W有线充电、50W无线充电，前置摄像头与edgeX30一致，采用OV60A6000万像素传感器。